2025 年 HBM 芯片产能将大增，AI 加速卡成本或受影响

IT之家 7 月 10 日消息，工商时报今天报道称，在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025 年高带宽内存（HBM）芯片每月总产能为 54 万颗，相比较 2024 年增加 27.6 万颗，同比增长 105%。

高带宽内存是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，与高性能图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）、高性能数据中心的 AI 特殊应用集成电路结合使用，可以大幅减少半导体的功率和面积。

HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒体拆解英伟达 H100 芯片，物料成本约为 3000 美元（IT之家备注：当前约 21847 元人民币），其中 SK 海力士供应的 HBM 成本就高达 2000 美元（当前约 14565 元人民币），占比 66%。

三大巨头现状

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供应商，两家公司都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。

集邦咨询认为采用 1Alpha nm 工艺的三星预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。

三大巨头扩产计划

三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。

同时，华城工厂（13/15/17 号生产线）正在升级到 1α 工艺，仅保留 1y / 1z 工艺的一小部分产能，以满足航空航天等特殊行业的需求。

SK 海力士以南韩利川市 M16 产线生产 HBM，并着手将 M14 产线升级为 1α／1β 制程，以供应 DDR5 和 HBM 产品。

此外，无锡厂目前正积极将制程由 1y／1z 升级到 1z／1α，分别用于生产 DDR4 及 DDR5 产品。

美光 HBM 前段在日本广岛厂生产，产能预计今年第四季提升至 2.5 万颗；长期将引入 EUV 制程（1γ、1δ），并建置全新无尘室。